El presente libro intenta desarrollar de manera ordenada la teoría física, la teoría electrónica y la teoría de las microondas del transistor bipolar de heterounión. Se explican con detalle los fundamentos y procedimientos que permiten obtener los diferentes modelos del dispositivo en su funcionamiento eléctrico, tanto a baja como a alta frecuencia. Esto permite a estudiosos de nuevos dispositivos electrónicos conocer un camino racional de enfrentarse al conocimiento del dispositivo haciendo una traslación del procedimiento seguido en el libro para el HBT. La metodología utilizada en este libro es diferente a la habitual en textos del mismo nivel científico-tecnológico, pues en él se deducen gran parte de las ecuaciones matemáticas presentadas. Este método permite al lector comprender los conocimientos y métodos presentados sin necesidad de consultar simultáneamente otras referencias. La elaboración de problemas cortos sobre conceptos puntuales es el procedimiento habitual de trabajo en la mayoría de los libros de texto. Este método de estudio no asegura la capacidad de relacionar los conceptos, más aún cuando la formulación matemática de los mismos no ha sido debidamente justificada o comprendida. Este libro es novedoso en el método de trabajo, pues al justificar matemáticamente la mayoría de los avances realizados, permite al lector aplicarlos a cualquier transistor bipolar de heterounión (el último capítulo del libro se dedica completamente al estudio ordenado, cuantitativo y cualitativo de un transistor bipolar de heterounión real).